对失效电子元器件进行诊断过程。
1、进行失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。
2、失效分析的目的是确定失效模式和失效机理，提出纠正措施，防止这种失效模式和失效机理的重复出现。
3、失效模式是指观察到的失效现象、失效形式，如开路、短路、参数漂移、功能失效等。
4、失效机理是指失效的物理化学过程，如疲劳、腐蚀和过应力等。
失效分析的一般程序
1、收集现场场数据
2、电测并确定失效模式
3、非破坏检查
4、打开封装
5、镜验
6、通电并进行失效定位
7、对失效部位进行物理、化学分析，确定失效机理。
8、综合分析，确定失效原因，提出纠正措施。
一、事故调查 1.现场调查 2.失效件的收集 3.走访当事人和目击者二、资料搜集 1.设计资料：机械设计资料，零件图 2.材料资料：原材料检测记录 3.工艺资料：加工工艺流程卡、装配图 4.使用资料：维修记录，使用记录等三、失效分析工作流程 1.失效机械的结构分析失效件与相关件的相互关系，载荷形式、受力方向的初步确定 2.失效件的粗视分析用眼睛或者放大镜观察失效零件，粗略判断失效类型（性质）。
3.失效件的微观分析用金相显微镜、电子显微镜观察失效零件的微观形貌，分析失效类型（性质）和原因。4.失效件材料的成分分析用光谱仪、能谱仪等现代分析仪器，测定失效件材料的化学成分。5.失效件材料的力学性能检测用拉伸试验机、弯曲试验机、冲击试验机、硬度试验机等测定材料的抗拉强度、弯曲强度、冲击韧度、硬度等力学性能。6.应力测试、测定：用x光应力测定仪测定应力用x光应力测定仪测定应力 7.失效件材料的组成相分析用x光结构分析仪分析失效件材料的组成相。8.模拟试验（必要时）在同样工况下进行试验，或者在模拟工况下进行试验。四、分析结果提交 1.提出失效性质、失效原因 2.提出预防措施（建议） 3.提交失效分析报告FA，failure analysis, 失效分析领域很宽广。失效分析说简单也简单，但说不简单，也够你学个10年8年的。因为涉及的物理化学知识太多了。博士生毕业的也有很多做这一行的。好好做，会有一番前途的，工资上万不是问题，但你要很专业。
FA做的好的人，基本上到后来都是该领域的专家级人物。做主管，做经理，是顺其自然会给你的，只要你肯学，肯努力。
1.一般问你的专业知识，比如电子，计算机，通信等方面，但也不排除问其它方面的问题；
2.笔试可能考专业，可能考其它的，比如智力题等；
原理：
当板子沿着导轨进入机器内部后，位于板子上方有一X-ray发射管，其发射的X射线穿过板子被置于下方的探测器（一般为摄像机）所接受，由于焊点中含有可以大量吸收X射线的铅，因此与穿过玻璃纤维铜、硅等其他材料的X射线相比，照射在焊点上的X射线被大量吸收，而呈现黑点产生良好的图像，使得对焊点的分析变得相当简单直观，故简单的图像分析算法便可自动且可靠地检验焊点的缺陷。
失效分析是一门发展中的新兴学科，近年开始从军工向普通企业普及。它一般根据失效模式和现象，通过分析和验证，模拟重现失效的现象，找出失效的原因，挖掘出失效的机理的活动。在提高产品质量，技术开发、改进，产品修复及仲裁失效事故等方面具有很强的实际意义。其方法分为有损分析，无损分析，物理分析，化学分析等。早期失效率高的原因是产品中存在不合格的部件；晚期失效率高的原因是产品部件经长期使用后进入失效期。机械产品中的磨合、电子元器件的老化筛选等就是根据这种失效规律而制定的保证可靠性的措施。扩展资料：
1、 狭义的失效分析：主要目的在于找出引起产品失效的直接原因。
2、广义的失效分析：不仅要找出引起产品失效的直接原因，而且要找出技术管理方面的薄弱环节。
3、新品研制阶段的失效分析：对失效的研制品进行失效分析。
4、产品试用阶段的失效分析：对失效的试用品进行失效分析。
5、定型产品使用阶段的失效分析：对失效的定型产品进行失效分析。
ingaas是用来侦测故障点定位，寻找亮点、热点的工具。
ingaas原理是侦测电子-电洞结合与热载子所激发出的光子。
ingaas可侦测的波长较长，范围约在900nm到1600nm之间，等同于红外线的波长区 (EMMI则是在350nm-1100nm)。
ingaas相较EMMI，更适用在检测先进制程组件的缺陷。
原因在于尺寸小的组件，相对操作电压也随之降低，使得热载子所激发出的光波长变得较长，而ingaas就非常适合用于侦测先进制程产品的亮点、热点定位。
失效分析是一门发展中的新兴学科，近年开始从军工向普通企业普及。它一般根据失效模式和现象，通过分析和验证，模拟重现失效的现象，找出失效的原因，挖掘出失效的机理的活动。
在提高产品质量，技术开发、改进，产品修复及仲裁失效事故等方面具有很强的实际意义。
其方法分为有损分析，无损分析，物理分析，化学分析等。
IGBT模块失效可分为以下三类：
电气应力
电气应力失效主要由于过压、过流直接导致芯片的损坏，其中常见的电气应力失效如下：
IGBT集电极-发射机过压
IGBT门级-发射极过压
IGBT过电流脉冲
续流二极管（FWD）正向过电流
续流二极管（FWD）过压（短关断脉冲）
IGBT超出反偏安全工作区
由于过大的热损耗直接造成芯片的损坏
由于温度周期导致封装部材料的热疲劳
由于外部环境 导致芯片、封装的直接破坏
国考面试结构化面试题型从题目内容上可以分为8类。
第一种、综合分析题
思维的深度与广度，逻辑的严密性等。一般是根据社会热点设置问题，考生答题时，观点一定要客观准确，思考成熟，从多角度回答问题。这类题目一般有观点思辨、现象分析、看图说话、寓言理解等。
第二种、计划组织类题
组织协调能力、结局实际问题的能力、策划能力等。一般为设定考生身份，组织某一活动或安排某一事项。如，组织单位春游、宣传政策等。
第三种、应变类题
在突发情况下或多种变化情况下应变能力，是否能提出有效应对措施。一般为假设某一紧急情镜，如何合理解决问题。
第四种、人际关系处理题
人际关系、权属关系处理能力，通常上讲就是考查考生的情商。一般是与同事间、与上级领导发生冲突，存在矛盾关系时，如何处理，考生答题要有误会就解除误会，有冲突就化解冲突，保持谦虚的态度，时刻不忘自我反省即可。
第五种、背景性题
自我认知能力、角色认知以及对公务员工作的认知、价值观等。一般为围绕考生自身情况、求职动机、工作经验等设置问题，考生答题可以是自我介绍或谈谈体会。
第六种、演说类题目
人及沟通能力、应变能力、综合分析能力、叙述说理能力、实际解决问题能力等。一般是设定模拟情境，考生通过现场演讲的方式解决问题。这类题是考生比较畏惧的，有一定的难度。
第七种、联想题
想象力、创新力、应变能力等。一般是题目直接提出问题，要求考生合理想象，给出答案。
第八种、串词题
想象力、创新力、应变能力、对词语的理解能力等。一般题目中给出几个关联性不大的短语，要求考生根据这些短语编一段话。
这8种面试题型，前4种是比较常见的，可能会同时出现在同一次考试中，后4种比前面4种难度稍微大一点，一般不会出现在同一次考试中。因此考生复习面试可以由难到易逐一破解。以上就是对结构化面试的一个简单介绍，相信考生也有所了解。最后，希望考生认真备考，面试成功!
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